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    本發明係關於一種液晶介質，其包含由一或多種式IA化合物組成之組分A，□其中參數具有申請專利範圍或正文中所給出之各別含義，及係關於相應的新穎液晶原化合物及其製備。本發明同樣係關於此等液晶介質之用途，尤其用於高頻技術之組件中，及係關於含有本發明介質之此類型組件，及係關於此等組件之製備及用途。本發明組件尤其適用於微波及毫米波區中之移相器、微波及毫米波陣列天線且極其適用於所謂的可調諧「反射陣列」。
    公开号:TW201302991A
    申请号:TW101110213
    申请日:2012-03-23
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Atsutaka Manabe；Dagmar Klass；Christian Jasper；Volker Reiffenrath；Detlef Pauluth
    申请人:Merck Patent Gmbh；
    IPC主号:C09K19-00
    专利说明:
    液晶原化合物、液晶介質及用於高頻技術之組件
    本發明係關於一種尤其用於高頻技術之液晶介質；尤其係關於用於尤其千兆赫區及兆兆赫區內之高頻裝置(詳言之天線)的組件，其係在微波或毫米波區中運作。此等組件使用特定液晶原(較佳液晶)化合物或由其構成之液晶介質以進行例如可調諧相控陣列天線或基於「反射陣列」之微波天線之可調諧單元的微波之相移。另外，本發明係關於新穎液晶原化合物。
    液晶介質早已用於電光顯示器(液晶顯示器-LCD)中以顯示資訊。
    在中心伸苯基環上有額外烷基取代之貝斯特蘭化合物(bistolan compound)(亦稱為三苯基丁二炔)為熟習此項技術者充分瞭解。
    舉例而言，Wu,S.-T.,Hsu,C.-S.及Shyu,K.-F.,Appl.Phys.Lett.,74(3),(1999)，第344-346頁揭示下式之含有側鏈甲基之各種液晶貝斯特蘭化合物：
    除此類含有側鏈甲基之液晶貝斯特蘭化合物外，Hsu,C.S.,Shyu,K.F.,Chuang,Y.Y.及Wu,S.-T.,Liq.Cryst.,27(2),(2000)，第283-287頁亦揭示含有側鏈乙基之相應化合物，且提出其尤其在液晶光學相控陣列中之用途。
    Dabrowski,R.,Kula,P.,Gauza,S.,Dziadiszek,J.,Urban,S.及Wu,S.-T.,IDRC 08,(2008)，第35-38頁提及除下式之強介電正性異硫氰基貝斯特蘭化合物之外，在中心環上有或無側鏈甲基之介電中性貝斯特蘭化合物：
    含有三個C-C參鍵之化合物，諸如以下化合物：
    在JP 2003-207631 A)中提及，且提出在光學膜、偏振器及光散射型液晶中之用途。
    以下通式之化合物： 其中表示例如
    描述於EP 1655360 A1中。
    然而，近來如例如DE 10 2004 029 429 A及JP 2005-120208(A)中所述，亦提出將液晶介質用於微波技術之組件中。
    液晶介質在高頻技術中之產業上有價值的應用係基於其特性：其介電特性可藉由尤其千兆赫區及兆兆赫區內之可變電壓來控制。此使得能夠建構不包含移動部件之可調諧天線(Gaebler,A.,Moessinger,A.,Goelden,F.,等人，「Liquid Crystal-Reconfigurable Antenna Concepts for Space Applications at Microwave and Millimeter Waves」,International Journal of Antennas and Propagation，第2009卷，Article ID 876989,(2009)，第1-7頁，DOI：10.1155/2009/876989)。
    Penirschke,A.,Müller,S.,Scheele,P.,Weil,C.,Wittek,M.,Hock,C.及Jakoby,R.：「Cavity Perturbation Method for Characterisation of Liquid Crystals up to 35 GHz」，第34屆歐洲微波大會(34th European Microwave Conference)-Amsterdam，第545-548頁尤其描述頻率為9 GHz之已知單一液晶物質K15(亦稱為4-正戊基-4'-氰基聯苯或PP-5-N，Merck KGaA,Germany)之特性。
    DE 10 2004 029 429 A描述液晶介質在微波技術，尤其在移相器中之用途。DE 10 2004 029 429 A已關於液晶介質在相應頻率範圍內之特性對液晶介質進行研究。
    對於用於高頻技術中，需要具有至今與眾不同之特定非習知特性或特性組合之液晶介質。
    A.Gaebler,F.Goelden,S.Müller,A.Penirschke及R.Jakoby 「Direct Simulation of Material Permittivites using an Eigen-Susceptibility Formulation of the Vector Variational Approach」,12MTC 2009-國際儀表及量測技術大會(International Instrumentation and Measurement Technology Conference),Singapore,2009(IEEE)，第463-467頁中描述已知液晶混合物E7(同樣Merck KGaA,Germany)之相應特性。
    DE 10 2004 029 429 A描述液晶介質在微波技術，尤其在移相器中之用途。DE 10 2004 029 429 A已關於液晶介質在相應頻率範圍內之特性對液晶介質進行研究。另外，其提及除下式化合物之外： 及
    包含下式化合物之液晶介質：
    例如在A.Lapanik,「Single compounds and mixtures for microwave applications,Dielectric,microwave studies on selected systems」,dissertation,Technical University of Darmstadt,2009,(D17)中提出包含例如下式化合物之液晶介質：
    在用於高頻技術之組件中的用途。
    然而，迄今為止已知之組合物受嚴重缺點的影響。除其他缺陷之外，其中大多數會不利地導致高損失及/或不當相移或不當材料品質(η)。
    因此，具有改良特性之新穎液晶介質係必需的。詳言之，微波區及/或毫米波區內之損失必須減少且材料品質必須得以改良。
    另外，需要改良液晶介質之低溫性能且因此亦改良組件之低溫性能。操作特性與存放期之改良皆為本文所必需。
    因此，極其需要對於相應實際應用具有適合特性之液晶介質。
    目前已令人驚奇地發現，若採用所選液晶介質，則可獲得不具有先前技術材料之缺點或僅至少有顯著降低程度之缺點的用於高頻技術之組件。
    因此本發明係關於包含一或多種式IA化合物之液晶介質， 其中表示或，較佳表示 尤其較佳表示 極其較佳表示 L1 表示具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基、具有4至6個C原子之環烯基或鹵素，較佳表示CH3、C2H5、n-C3H7(-(CH2)2CH3)、i-C3H7(-CH(CH3)2)、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊-1-烯基、環己-1-烯基、F或Cl，且尤其較佳表示CH3、C2H5、環丙基、環丁基或F，且極其較佳表示F，Y11及Y12 彼此獨立地表示H、具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基、具有4至6個C原子之環烯基或鹵素，較佳表示H、CH3、C2H5、n-C3H7(-(CH2)2CH3)、i-C3H7(-CH(CH3)2)、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊-1-烯基、環己-1-烯基、F或Cl，且尤其較佳表示H、CH3、C2H5或F，且極其較佳表示H或CH3，R11至R13 彼此獨立地表示各具有1至15個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基；各具有2至15個C原子之未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基；或各具有至多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基，較佳地R11及R12 彼此獨立地表示各具有1至7個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基；或各具有2至7個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基，尤其較佳地R11 表示具有1至7個C原子之未氟化烷基；或各具有2至7個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基，及尤其較佳地R12 表示各具有1至7個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基，及較佳地R13 表示具有1至5個C原子之未氟化烷基；具有3至7個C原子之未氟化環烷基或環烯基；各具有4至12個C原子之未氟化烷基環己基或未氟化環己基烷基；或具有5至15個C原子之未氟化烷基環己基烷基；尤其較佳表示環丙基、環丁基、環戊基或環己基；且R13極其較佳表示正烷基，尤其較佳表示甲基、乙基或正丙基，且另一者表示H或正烷基，尤其較佳表示H、甲基、乙基或正丙基。
    本發明之液晶介質特別適用於供高頻技術或電磁波譜之微波區及/或毫米波區用之組件中。本發明係關於介質之此用途及此等組件。
    在本發明之第一較佳實施例中，用於高頻技術之組件含有包含組分A之液晶介質，組分A係由一種式IA化合物、兩種式IA化合物或複數種式IA化合物組成。
    根據本發明之另一較佳實施例，用於高頻技術之組件含有包含以下之液晶介質：- 第一組分，即組分A，其包含一或多種以上所提及之式IA化合物且其視情況包含一或多種下文給出之式IB化合物，及- 一或多種選自下文定義之組分B至組分E之群的其他組分，- 強介電正性組分，即組分B，其介電各向異性為10.0或10.0以上，- 強介電負性組分，即組分C，其介電各向異性為-5.0或-5.0以下，- 另一組分，即組分D，其介電各向異性在-5.0以上至10.0以下之範圍內且由具有7個或7個以上，較佳8個或8個以上5員或6員環之化合物組成，及- 另一組分，即組分E，同樣其介電各向異性在-5.0以上至10.0以下之範圍內且由具有至多6個5員或6員環之化合物組成。
    5員環之典型實例為： 及其類似物。
    6員環之典型實例為：
    5員及6員環亦包括飽和及部分飽和環以及雜環。
    就本申請案而言，由兩個此等環，亦即兩個5員環、一個5員環和一個6員環或兩個6員環組成之稠環系統，諸如：
    被視為歸屬於組分A或組分D之化合物之此等5員或6員環中之一者。
    相應地，由三個或三個以上此等環之組合組成的以縱向併入分子中之稠環系統，諸如： 被視為此等5員或6員環中之兩者。
    相反，以橫向併入分子中之稠環系統，諸如： 被視為此等5員或6員環中之一者。
    本發明同樣係關於前述液晶介質及下文所述彼等液晶介質、及其在電光顯示器中且詳言之用於高頻技術之組件中之用途。
    在本發明之一個較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式IA化合物，較佳選自式IA-1至式IA-4之化合物之群，較佳式IA-1及/或式IA-2之化合物： 其中，參數具有上文針對式IA所示之各別含義，且較佳地R13 表示具有1至6個C原子之烷基、具有2至6個C原子之烯基、具有3至6個C原子之環烷基、或具有4至6個C原子之環烯基，較佳表示CH3、C2H5、n-C3H7(-(CH2)2CH3)、i-C3H7(-CH(CH3)2)、-CH=CH2、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊-1-烯基或環己-1-烯基，且尤其較佳表示CH3、C2H5、環丙基或環丁基，L1 表示具有1至3個C原子之烷基或鹵素，較佳表示H、F或Cl，且尤其較佳表示H、F或CH3，甚至更佳表示H或F，且極其較佳表示F，R11 表示具有1至7個C原子之未氟化烷基，及R12 表示具有1至7個C原子之未氟化烷基或具有1至7個C原子之未氟化烷氧基。
    在本發明之一個較佳實施例中，組分A主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由式IA化合物組成。
    在本發明之一個尤其較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式IA-1化合物，較佳選自式IA-1a至式IA-1e及式IA-2a至式IA-2e之化合物之群，尤其較佳選自式IA-1a至式IA-1c、式IA-1e、式IA-2a至式IA-2c及式IA-2e之化合物之群，極其較佳選自式IA-1a、式IA-1b、式IA-2a及式IA-2b之化合物之群，
    其中參數具有上文在式IA-1下或式IA-2下給出之含義，且較佳地R11及R12彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基，例如丙基及己基，或在各情況下表示丙基、丁基、戊基或己基。
    組分A中之液晶介質視情況包含一或多種式IB化合物， 其中 較佳表示 尤其較佳表示 L1 表示具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基，較佳表示CH3、C2H5、n-C3H7(-(CH2)2CH3)、i-C3H7(-CH(CH3)2)、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊-1-烯基或環己-1-烯基，且尤其較佳表示CH3、C2H5、環丙基或環丁基，X1 表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素，較佳表示H、F或Cl，尤其較佳表示H或F，且極其較佳表示F，R11至R14 彼此獨立地表示各具有1至15個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基；各具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基；或各具有至多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基，或者R13及R14中之一者或兩者亦表示H，較佳地，R11及R12 彼此獨立地表示各具有1至7個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基；或各具有2至7個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基，尤其較佳地，R11 表示具有1至7個C原子之未氟化烷基；或各具有2至7個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基，及尤其較佳地，R12 表示各具有1至7個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基，及較佳地，R13及R14 表示H、具有1至5個C原子之未氟化烷基；具有3至7個C原子之未氟化環烷基或環烯基；各具有4至12個C原子之未氟化烷基環己基或未氟化環己基烷基；或具有5至15個C原子之未氟化烷基環己基烷基；尤其較佳表示環丙基、環丁基、環戊基或環己基，且R13及R14中之至少一者極其較佳表示正烷基，尤其較佳表示甲基、乙基或正丙基，且另一者表示H或正烷基，尤其較佳表示H、甲基、乙基或正丙基。
    在本發明之一個尤其較佳實施例中，組分A包含一或多種式IA化合物及一或多種式IB化合物，組分A較佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由式IA及式IB之化合物組成。
    式IB化合物較佳為選自式IB-1至式IB-4之化合物之群的化合物， 其中L1 表示具有1至6個C原子之烷基、具有2至6個C原子之烯基、具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基，較佳表示CH3、C2H5、n-C3H7(-(CH2)2CH3)、i-C3H7(-CH(CH3)2)、-CH=CH2、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊-1-烯基或環己-1-烯基，且尤其較佳表示CH3、C2H5、環丙基或環丁基，X1 表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素，較佳表示H、F或Cl，尤其較佳表示H、F或CH3，甚至更佳表示H或F且極其較佳表示F，且其他參數具有上文針對式IB所示之各別含義，且較佳地R11 表示具有1至7個C原子之未氟化烷基，及R12 表示具有1至7個C原子之未氟化烷基或具有1至7個C原子之未氟化烷氧基。
    在本發明之一個尤其較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式IB-1之化合物，較佳選自式IB-1a-1至式IB-1a-12及式IB-1b-1至IB-1b-12之化合物之群：

    其中參數具有上文在式IB-1下給出之含義，且較佳地R11及R12彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基，例如丙基及己基，或在各情況下表示丙基、丁基、戊基或己基。
    在本發明之一個極其較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式IB化合物，較佳選自式IB-1a-2、式IB-1a-5、式IB-1a-7、式IB-1a-8、式IB-1a-9、式IB-1a-10、式IB-1b-5、式IB-1b-7、式IB-1b-8、式IB-1b-9、式IB-1b-10之化合物之群，其中參數具有上文給出之含義，且尤其較佳地R11及R12 彼此獨立地表示具有1至7個C原子之未氟化烷基或具有1至6個C原子之未氟化烷氧基，尤其較佳地R11及R12 中之一者表示烷基且另一者表示烷基或烷氧基，且R11與R12之含義極其較佳彼此不同。
    在本發明之一個較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式IB-2化合物，其中較佳地R11及R12彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基，例如丙基及己基，或在各情況下表示丙基、丁基、戊基或己基。
    在本發明之一個較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式IB-3化合物，較佳選自式IB-3a-1至式IB-3a-3及式IB-3b-1至式IB-3b-3之化合物之群，較佳式IB-3a-2、式IB-3b-2之化合物， 其中參數具有上文在式IB-3下給出之含義，且較佳地R11及R12彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基，例如丙基及己基，或在各情況下表示丙基、丁基、戊基或己基。
    在本發明之一個較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式IB-4化合物，較佳選自式IB-4a-1至式IB-4a-3及式IB-4b-1式IB-4b-3之化合物之群，較佳式IB-4b-2化合物， 其中參數具有上文在式IB-4下給出之含義，且較佳地R11及R12彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基，例如丙基及己基，或在各情況下表示丙基、丁基、戊基或己基。
    式IA化合物宜如以下說明性合成(流程1及流程2)中所示來製備： 流程1：式IA-1(例如IA-1b)化合物之說明性合成。
    流程2：式IA-2(例如IA-2a)化合物之說明性合成。
    式IB-1a化合物宜如以下說明性合成(流程3至流程6)中所示來製備： 流程3：含有對稱末端基團之式IB-1(例如IB-1a-7至IB-1a-12)化合物之說明性合成，其中環烷基亦表示環烯基。
    流程4：含有對稱末端基團之式IB-1(例如IB-1a-7、IB-1a-8、IB-1a-9及IB-1a-11)化合物之說明性合成。
    流程5：含有不對稱末端基團之式IB-1(例如IB-1a-7至IB-1a-12)化合物之說明性合成，其中環烷基亦表示環烯基。
    流程6：含有不對稱末端基團之式IB-1(例如IB-1a-7至IB-1a-12)化合物之說明性合成，其中環烷基亦表示環烯基。
    式IB-1b化合物宜根據以下通用反應流程(反應流程5至反應流程11)獲得。其中，參數L1、R11、R12及X1係如上下文所定義。R具有R11或R12之含義。
    流程7：具有不對稱取代之式IB化合物之說明性合成，其中R具有R11之含義。
    流程8：具有不對稱取代之式IB化合物之說明性合成。
    流程9至流程13顯示不同經取代之中心環之合成。此處苯基炔基可概括成任何所要經取代之苯基炔基。
    流程9：含有對稱末端基團之式IB-1(例如IB-1b-1至IB-1b-4)化合物之說明性合成，其中R具有R11之含義。
    流程10：含有對稱末端基團之式IB-1b-8化合物之說明性合成，其中R具有R11之含義。
    流程11：X1=Cl，L1=CH3且含有對稱末端基團之式IB-1化合物之說明性合成，其中R具有R11之含義。
    流程12：X1=L1=CH3且含有對稱末端基團之式IB化合物之說明性合成，其中R具有R11之含義。
    流程13：X1=L1=烷基且含有對稱末端基團之式IB化合物之說明性合成，其中R具有R11之含義且其中兩個烷基「烷基」可彼此相同或不同且另外一者或兩者可為烯基。
    式IB-2化合物宜如以下說明性合成(流程14)中所示來製備： 流程14：含有不對稱末端基團之式IB-2化合物之說明性合成，其中R對應於R11進行定義，且R'對應於R12進行定義。
    式IB-3及式IB-4之化合物宜根據以下通用反應流程(反應流程15)獲得。
    流程15：含有對稱末端基團之式IB-3及式IB-4之化合物之說明性合成，其中R具有R11或R12之含義。
    除組分A之外，本發明之此等介質較佳包含選自兩種組分B及組分C且另外視情況選用之組分D及/或組分E之組分。
    本發明之此等介質較佳包含兩種、三種或四種，尤其較佳兩種或三種選自組分A至組分E之群的組分。此等介質較佳包含- 組分A及組分B，或- 組分A、組分B及組分D及/或組分E，或- 組分A及組分C，或- 組分A、組分B及組分C，或- 組分A、組分C及組分D及/或組分E。
    本發明之此等介質較佳包含組分B且不包含組分C或反之亦然。
    強介電正性組分(即組分B)之介電各向異性較佳為20.0或20.0以上，更佳25.0或25.0以上，尤其較佳30.0或30.0以上且極其較佳40.0或40.0以上。
    強介電負性組分(即組分C)之介電各向異性較佳為-7.0或-7.0以下，更佳-8.0或-8.0以下，尤其較佳-10.0或-10.0以下，且極其較佳-15.0或-15.0以下。
    在本發明之一個較佳實施例中，組分B包含一或多種選自式IIA及式IIB之化合物之群的化合物： R21 表示各具有1至15個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基；或各具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基，較佳表示烷基，尤其較佳表示正烷基，R22 表示H、各具有1至5個、較佳1至3個、尤其較佳3個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基， 彼此獨立地，且若其出現一次以上，則在各情況下此等基團亦彼此獨立地表示 或，較佳表示 n及m 彼此獨立地表示1或2，較佳地(n+m) 表示3或4，且尤其較佳地n 表示2，X2 表示F、Cl、-CF3或-OCF3，較佳表示F或Cl，尤其較佳表示F，Y2 表示F、Cl、-CF3、-OCF3或CN，較佳表示CN，及Z2 表示H或F。
    較佳之式IIA化合物為相應子式IIA-1之化合物： 其中R21具有上文給出之含義。
    較佳之式IIB化合物為相應子式IIB-1及IIB-2之化合物： 其中R21、R22及X2具有上文給出之各別含義。
    在本發明之一個較佳實施例中，組分C包含一或多種選自式IIIA及式IIIB之化合物之群的化合物：
    其中R31及R32 彼此獨立地具有上文在式IIA下針對R21所示之含義，且較佳地R31 表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R32 表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處(R31與R32)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)。
    較佳之式IIIB化合物為相應子式IIIB-1及IIIB-2之化合物： 其中n及m 各具有上文針對式IIIB給出之含義，且較佳彼此獨立地表示在1至7範圍內之整數。
    在本發明之一個較佳實施例中，組分D包含一或多種以下式IV之化合物： 其中R41及R42 彼此獨立地具有上文在式I下針對R11所示之含義，L41至L44 在每次出現時，在各情況下彼此獨立地表示H、具有1至5個C原子之烷基、F或Cl，及p 表示在7至14，較佳8至12且尤其較佳9至10範圍內之整數，且較佳地至少兩個所存在之取代基L41至L44具有除H外之含義，及R41 表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R42 表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    在本申請案之一個較佳實施例中，液晶介質另外包含另一組分，即組分E，其較佳由一或多種選自式V至式IX之化合物之群的化合物組成： 其中L51 表示R51或X51，L52 表示R52或X52，R51及R52 彼此獨立地表示H；具有1至17個、較佳3至10個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基，較佳表示烷基或未氟化烯基，X51及X52 彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、未氟化或氟化烯氧基或未氟化或氟化烷氧基烷基，較佳表示氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，及 彼此獨立地表示 或，較佳表示 L61 表示R61，且在Z61及/或Z62表示反-CH=CH-或反-CF=CF-之情況下，或者亦表示X61，L62 表示R62，且在Z61及/或Z62表示反-CH=CH-或反-CF=CF-之情況下，或者亦表示X62，R61及R62 彼此獨立地表示H；具有1至17個、較佳3至10個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基，較佳表示烷基或未氟化烯基，X61及X62 彼此獨立地表示F或Cl、-CN、-NCS、-SF5、具有1至7個C原子之氟化烷基或烷氧基、或具有2至7個C原子之氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷基，較佳表示-NCS，Z61及Z62 中之一者表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，且另一者獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵，較佳地，其中之一者表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵，及 彼此獨立地表示 或，較佳表示 L71 表示R71或X71，L72 表示R72或X72，R71及R72 彼此獨立地表示H；具有1至17個、較佳3至10個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基，較佳表示烷基或未氟化烯基，X71及X72 彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、未氟化或氟化烯氧基或未氟化或氟化烷氧基烷基，較佳表示氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，及Z71至Z73 彼此獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-或單鍵，較佳其中之一或多者表示單鍵，尤其較佳所有均表示單鍵及 彼此獨立地表示 或，較佳表示 R81及R82 彼此獨立地表示H；具有1至15個、較佳3至10個C原子之未氟化烷基或烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷基，較佳表示未氟化烷基或烯基，Z81及Z82 中之一者表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，且另一者獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵，較佳地，其中之一者表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵，及表示， 彼此獨立地表示 L91 表示R91或X91，L92 表示R92或X92，R91及R92 彼此獨立地表示H；具有1至15個、較佳3至10個C原子之未氟化烷基或烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷基，較佳表示未氟化烷基或烯基，X91及X92 彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、未氟化或氟化烯氧基或未氟化或氟化烷氧基烷基，較佳表示氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，及Z91至Z93 彼此獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-或單鍵，較佳其中之一或多者表示單鍵，且尤其較佳所有均表示單鍵，表示或 彼此獨立地表示 且其中式IIIA化合物排除在式VI化合物外。
    在本發明之一個較佳實施例中，液晶介質包含、更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由一或多種式V化合物組成，較佳選自式V-1至式V-3之化合物之群，較佳式V-1及/或式V-2及/或式V-3之化合物，較佳式V-1及式V-2之化合物： 其中，參數具有上文針對式V所示之各別含義且較佳地R51 表示具有1至7個C原子之未氟化烷基或具有2至7個C原子之未氟化烯基，R52 表示具有1至7個C原子之未氟化烷基或具有2至7個C原子之未氟化烯基或具有1至7個C原子之未氟化烷氧基，X51及X52 彼此獨立地表示F、Cl、-OCF3、-CF3、-CN、-NCS或-SF5，較佳表示F、Cl、-OCF3或-CN。
    式V-1化合物較佳選自式V-1a至式V-1d之化合物之群，此等式V化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成：
    其中，參數具有上文針對式V-1所示之各別含義且其中：Y51及Y52 在各情況下彼此獨立地表示H或F，且較佳地R51 表示烷基或烯基，及X51 表示F、Cl或-OCF3。
    式V-2化合物較佳選自式V-2a至式V-2g之化合物之群及/或式V-2f及式V-2g之化合物之群，此等式V化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成：
    其中在各情況下，式V-2a化合物排除在式V-2b及式V-2c之化合物外，式V-2b化合物排除在式V-2c化合物外，且式V-2e化合物排除在式V-2f化合物外，及其中，參數具有上文針對式V-1所示之各別含義且其中：Y51及Y52 在各情況下彼此獨立地表示H或F，且較佳地R51 表示烷基或烯基，X51 表示F、Cl或-OCF3，且較佳地Y51與Y52 中之一者表示H且另一者表示H或F，同樣較佳表示H。
    式V-3化合物較佳為式V-3a化合物： 其中，參數具有上文針對式V-1所示之各別含義且其中較佳地X51 表示F、Cl，較佳表示F，X52 表示F、Cl或-OCF3，較佳表示-OCF3。
    在本發明之一個甚至更佳實施例中，式V化合物係選自化合物V-1a至V-1d之群，較佳選自化合物V-1c及V-1d之群，此等式V化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成：式V-1a化合物較佳選自式V-1a-1及式V-1a-2之化合物之群，此等式V化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1，其中n 表示在0至7範圍內，較佳1至5範圍內且尤其較佳3或7之整數。
    式V-1b化合物較佳為式V-1b-1化合物： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1，其中n 表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數。
    式V-1c化合物較佳選自式V-1c-1至式V-1c-4之化合物之群，較佳選自式V-1c-1及式V-1c-2之化合物之群，此等式V化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1，其中n 表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數。
    式V-1d化合物較佳選自式V-1d-1及式V-1d-2之化合物之群，較佳式V-1d-2化合物，此等式V化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1，其中n 表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數。
    式V-2a化合物較佳選自式V-2a-1及式V-2a-2之化合物之群，較佳式V-2a-1化合物，此等式V化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R52 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    詳言之在式V-2a-1之情況下，較佳之(R51與R52)之組合為(CnH2n+1與CmH2m+1)、(CnH2n+1與O-CmH2m+1)、(CH2=CH-(CH2)Z與CmH2m+1)、(CH2=CH-(CH2)Z與O-CmH2m+1)及(CnH2n+1與(CH2)Z-CH=CH2)。
    較佳之式V-2b化合物為式V-2b-1化合物： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R52 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，較佳之(R51與R52)之組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    較佳之式V-2c化合物為式V-2c-1化合物： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R52 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，較佳之(R51與R52)之組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    較佳之式V-2d化合物為式V-2d-1化合物： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R52 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，較佳之(R51與R52)之組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    較佳之式V-2e化合物為式V-2e-1化合物： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R52 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，較佳之(R51與R52)之組合尤其為(CnH2n+1與O-CmH2m+1)。
    較佳之式V-2f化合物為式V-2f-1化合物： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R52 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R51與R52)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，尤其較佳為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    較佳之式V-2g化合物為式V-2g-1化合物： 其中R51 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R52 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，較佳之(R51與R52)之組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，尤其較佳為(CnH2n+1與O-CmH2m+1)。
    式VI化合物較佳選自式VI-1至式VI-4之化合物之群，此等式VI化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中Z61及Z62 表示反-CH=CH-或反-CF=CF-，較佳表示反-CH=CH-，且其他參數具有上文在式VI下給出之含義且較佳地R61及R62 彼此獨立地表示H、具有1至7個C原子之未氟化烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未氟化烯基，X62 表示F、Cl、-CN或-NCS，較佳表示-NCS，及至中之一者表示 且其餘者彼此獨立地表示 或，較佳表示 或，且較佳地R61 表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R62 表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    式VI-1化合物較佳選自式VI-1a及式VI-1b之化合物之群，較佳選自式VI-1a之化合物，此等式VI化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中R61 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R62 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R61與R62)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，在式VI-1a之情況下尤其較佳為(CnH2n+1與CmH2m+1)，且在式VI-1b之情況下尤其較佳為(CnH2n+1與O-CmH2m+1)。
    式VI-3化合物較佳為式VI-3a化合物： 其中參數具有上文在式VI-3下給出之含義，且較佳地R61 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1，其中n 表示在0至7範圍內，較佳1至5範圍內之整數，及X62 表示-F、-Cl、-OCF3、-CN或-NCS，尤其較佳表示-NCS。
    式VI-4化合物較佳為式VI-4a化合物： 其中參數具有上文在式VI-4下給出之含義，且較佳地R61 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1，其中n 表示在0至7範圍內，較佳1至5範圍內之整數，及X62 表示F、Cl、OCF3、-CN或-NCS，尤其較佳表示-NCS。
    進一步較佳之式VI化合物為下式之化合物： 其中n 表示在0至7範圍內，較佳1至5範圍內之整數。
    式VII化合物較佳選自式VII-1至式VII-6之化合物之群，此等式VII化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成：
    其中式VII-5化合物排除在式VII-6化合物外，及其中，參數具有上文針對式VII所示之各別含義，且較佳地R71 表示各具有1至7個C原子之未氟化烷基或烷氧基，或具有2至7個C原子之未氟化烯基，R72 表示各具有1至7個C原子之未氟化烷基或烷氧基，或具有2至7個C原子之未氟化烯基，及X72 表示F、Cl或-OCF3，較佳表示F，及尤其較佳地R71 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R72 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    式VII-1化合物較佳選自式VII-1a至式VII-1d之化合物之群，此等式VII-1化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中X72具有上文針對式VII-2給出之含義，及R71 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1，其中n 表示1至7，較佳表示2至6，尤其較佳表示2、3或5，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2，及X72 較佳表示F。
    式VII-2化合物較佳選自式VII-2a及式VII-2b之化合物之群，較佳式VII-2a之化合物，此等式VII-2化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中R71 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R72 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R71與R72)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，尤其較佳為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    式VII-3化合物較佳為式VII-3a化合物： 其中R71 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R72 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R71與R72)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，尤其較佳(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    式VII-4化合物較佳為式VII-4a化合物： 其中R71 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R72 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R71與R72)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，尤其較佳為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    式VII-5化合物較佳選自式VII-5a及式VII-5b之化合物之群，較佳式VII-5a之化合物，此等式VII-5化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中R71 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R72 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R71與R72)之較佳組合物尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，尤其較佳為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    式VII-6化合物較佳選自式VII-6a及式VII-6b之化合物之群，此等式VII-6化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中R71 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R72 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R71與R72)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，尤其較佳為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    本申請案之液晶介質較佳包含總計0至40%，較佳0至30%且尤其較佳5至25%之式VIII化合物。
    式VIII化合物較佳選自式VIII-1至式VIII-3之化合物之群，此等式VIII化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成：
    其中Y81及Y82 中之一者表示H且另一者表示H或F，及R81 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R82 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R81與R82)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，尤其較佳為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    式VIII-1化合物較佳選自式VIII-1a至式VIII-1c之化合物之群，此等式VIII-1化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成：
    其中R81 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R82 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R81與R82)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，尤其較佳為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    式VIII-2化合物較佳為式VIII-2a化合物： 其中R81 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R82 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R81與R82)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)、(CnH2n+1與O-CmH2m+1)及(CH2=CH-(CH2)Z與CmH2m+1)，尤其較佳為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    式VIII-3化合物較佳為式VIII-3a化合物： 其中R81 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R82 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R81與R82)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)。
    式IX化合物較佳選自式IX-1至式IX-3之化合物之群，此等式IX化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中，參數具有上文在式IX下所示之各別含義且較佳地至中之一者表示 及其中R91 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R92 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R91與R92)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)。
    本申請案之液晶介質較佳包含總計5至30%，較佳10至25%且尤其較佳15至20%之式IX化合物。
    式IX-1化合物較佳選自式IX-1a至式IX-1e之化合物之群，此等式IX-1化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中參數具有上文給出之含義且較佳地R91 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1，及n 表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及X92 較佳表示F或Cl。
    式IX-2化合物較佳選自式IX-2a及式IX-2b之化合物之群，此等式IX-2化合物更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由其組成： 其中R91 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R92 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R91與R92)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)。
    式IX-3化合物較佳為式IX-3a及式IX-3b之化合物：
    其中R91 具有上文所示之含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH-(CH2)Z，及R92 具有上文所示之含義且較佳表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或(CH2)Z-CH=CH2，且其中n及m 彼此獨立地表示在0至15範圍內，較佳1至7範圍內且尤其較佳1至5範圍內之整數，及z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。
    此處，(R91與R92)之較佳組合尤其為(CnH2n+1與CmH2m+1)及(CnH2n+1與O-CmH2m+1)，尤其較佳為(CnH2n+1與O-CmH2m+1)。
    在本發明之一個較佳實施例中，介質包含一或多種介電各向異性大於3之介電正性之式V-1化合物。
    本發明之液晶介質較佳包含10%或10%以下，較佳5%或5%以下，尤其較佳2%或2%以下，極其較佳1%或1%以下，且尤其絕對無僅具有兩個或兩個以下5員及/或6員環之化合物。
    在本發明之一個較佳實施例中，該介質包含一或多種式VI化合物。
    在本發明之另一較佳實施例中，該介質包含一或多種式VII化合物。
    用於本申請案中之化合物的縮寫(首字母縮寫)之定義示於以下表D中且自表A至表C清楚。
    在本發明之一個較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式IB-1及/或式IB-2及/或式IB-3及/或式IB-4之化合物。
    液晶介質或液晶介質之組分A較佳包含一或多種選自式IB-1a-1至式IB-1a-12之化合物，尤其較佳式IB-1a-2之化合物，極其較佳一或多種式IB-1a-2化合物及一或多種選自式IB-1a-1及式IB-1a-3至式IB-1a-12之化合物之群的化合物，及一或多種式IB-1b-1至式IB-1b-12及/或式IB-2及/或式IB-3及/或式IB-4之化合物。
    在本發明之另一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種選自式IB-1b-1至式IB-1b-12之化合物之群，尤其較佳選自式IB-1b-5及/或式IB-1b-7及/或式IB-1b-8及/或式IB-1b-9及/或式IB-1b-10之化合物之群的化合物，及一或多種選自式IB-1a-1至式IB-1a-12之化合物之群的化合物，較佳式IB-1a-2之化合物，及/或一或多種式IB-2及/或式IB-3及/或式IB-4之化合物。
    在本發明之另一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式IB-2之化合物及一或多種式IB-1之化合物、較佳式IB-1a、較佳式IB-1a-2之化合物及/或式IB-1b之化合物，及/或一或多種式IB-3及/或式IB-4之化合物。
    在本發明之另一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式IB-3之化合物及一或多種式IB-1之化合物、較佳式IB-1a、較佳式IB-1a-2之化合物及/或式IB-1b之化合物，及/或一或多種式IB-2及/或式IB-4之化合物。
    在本發明之另一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式之IB-4化合物及一或多種式IB-1之化合物、較佳式IB-1a、較佳式IB-1a-2之化合物及/或式IB-1b之化合物，及/或一或多種式IB-2及/或式IB-3之化合物。
    本發明之液晶介質較佳包含、更佳主要由、甚至更佳基本上由且極其較佳完全由選自以下之群的化合物組成：式IA、式IB、式II、式IV及式V之化合物，較佳式IA、式IB、式IIA、式IIB及式IV之化合物；或由選自以下之群的化合物組成：式IA、式IB、式IIIA、式IIIB、式IV及式V之化合物，較佳式IA、式IB、式IIIA、式IIIB及式IV之化合物。
    在本申請案中，關於組合物之「包含」意謂所討論之實體(亦即介質或組分)包含一或多種所示組分或化合物，較佳總濃度為10%或10%以上且極佳20%或20%以上。
    就此而言，「主要由……組成」意謂所討論之實體包含55%或55%以上，較佳60%或60%以上且極佳70%或70%以上一或多種所示組分或化合物。
    就此而言，「基本上由…組成」意謂所討論之實體包含80%或80%以上，較佳90%或90%以上且極佳95%或95%以上一或多種所示組分或化合物。
    就此而言，「完全由…組成」意謂所討論之實體包含98%或98%以上，較佳99%或99%以上且極佳100.0%一或多種所示組分或化合物。
    上文未明確提及之其他液晶原化合物可視情況且亦宜用於本發明之介質中。該等化合物為熟習此項技術者所知。
    本發明之液晶介質之澄清點較佳為90℃或90℃以上，更佳為100℃或100℃以上，甚至更佳為120℃或120℃以上，尤其較佳為150℃或150℃以上且極其較佳為170℃或170℃以上。
    本發明之向列相較佳自至少20℃或20℃以下延伸至90℃或90℃以上，較佳達至100℃或100℃以上，更佳自至少0℃或0℃以下延伸至120℃或120℃以上，極佳自至少-10℃或-10℃以下延伸至140℃或140℃以上，且尤其自至少-20℃或-20℃以下延伸至150℃或150℃以上。
    在1 kHz及20℃下，本發明之液晶介質之△ε較佳為1或1以上，更佳為2或2以上且極佳為3或3以上。
    在589 nm(NaD)及20℃下，本發明之液晶介質之△n較佳在0.200或0.200以上至0.90或0.90以下之範圍內，更佳在0.250或0.250以上至0.90或0.90以下之範圍內，甚至更佳在0.300或0.300以上至0.85或0.85以下之範圍內，且極其較佳在0.350或0.350以上至0.800或0.800以下之範圍內。
    在本申請案之一個較佳實施例中，本發明液晶介質之△n較佳為0.40或0.40以上，更佳為0.45或0.45以上。
    根據本發明，液晶介質中之個別式IA化合物較佳以整體混合物之10%至100%，更佳30%至95%，甚至更佳40%至90%且極佳50%至90%之總濃度使用。
    根據本發明，液晶介質中之個別式IB化合物較佳以整體混合物之10%至100%，更佳30%至95%，甚至更佳40%至90%且極佳50%至90%之總濃度使用。
    在液晶介質包含一或多種選自式IIA及式IIB之化合物之群的化合物之本發明實施例中，其他化合物較佳如下使用。
    選自式IIA及式IIB之化合物之群的化合物較佳以整體混合物之1%至30%，更佳2%至20%，甚至更佳3%至18%且極佳4%至16%之總濃度使用。
    式IV之化合物較佳以整體混合物之1%至20%，更佳2%至15%，甚至更佳3%至12%且極佳5%至10%之總濃度使用。
    液晶介質較佳包含、更佳主要由且極佳完全由總計70%至100%，更佳80%至100%且極佳90%至100%且尤其95%至100%之式IA、式IB、式IIA、式IIB及式IV至式IX之化合物，較佳式I、式IIA、式IIB及式IV之化合物組成。
    在液晶介質包含一或多種選自式IIIA及式IIIB之化合物之群的化合物之本發明實施例中，其他化合物較佳如下使用。
    選自式IIIA及式IIIB之化合物之群的化合物較佳以整體混合物之1%至60%，更佳5%至55%，甚至更佳7%至50%且極佳10%至45%之總濃度使用。
    若液晶介質僅包含一或多種式IIIA化合物，但無式IIIB化合物，則式IIIA化合物較佳以整體混合物之10%至60%，更佳20%至55%，甚至更佳30%至50%且極佳35%至45%之總濃度使用。
    若液晶介質僅包含一或多種式IIIB化合物，但無式IIIA化合物，則式IIIB化合物較佳以整體混合物之5%至45%，更佳10%至40%，甚至更佳15%至35%且極佳20%至30%之總濃度使用。
    若液晶介質包含一或多種式IIIA化合物與一或多種式IIIB化合物，則式IIIA化合物較佳以整體混合物之5%至50%，更佳10%至45%，甚至更佳15%至30%且極佳20%至25%之總濃度使用，且式IIIB化合物較佳以整體混合物之1%至35%，更佳5%至30%，甚至更佳7%至25%且極佳10%至20%之總濃度使用。
    式IV之化合物較佳以整體混合物之1%至20%，更佳2%至15%，甚至更佳3%至12%且極佳5%至10%之總濃度使用。
    液晶介質較佳包含、更佳主要由且極佳完全由總計70%至100%，更佳80%至100%且極佳90%至100%且尤其95%至100%之選自式IA、式IB、式IIIA、式IIIB及式IV至式IX之化合物，較佳式IA、式IB及/或式IIIA及/或式IIIB之化合物組成。
    在本發明之一個尤其較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式V化合物及一或多種式VI化合物。
    在本發明之另一尤其較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式V化合物及一或多種式VII化合物。
    本發明之液晶介質同樣較佳包含一或多種式V化合物、一或多種式VI化合物及一或多種式VIII化合物。
    若本申請案之液晶介質包含一或多種式V化合物，則此等化合物之濃度較佳為總計10%至30%，較佳15%至25%且尤其較佳18%至22%。
    若本申請案之液晶介質包含一或多種式VI化合物，則此等化合物之濃度較佳為總計15%至35%，較佳18%至30%且尤其較佳22%至26%。
    若本申請案之液晶介質包含一或多種式VII化合物，則此等化合物之濃度較佳為總計4%至25%，較佳8%至20%且尤其較佳10%至14%。
    若本申請案之液晶介質包含一或多種式VIII化合物，則此等化合物之濃度較佳為總計15%至35%，較佳18%至30%且尤其較佳22%至26%。
    若本申請案之液晶介質包含一或多種式IX化合物，則此等化合物之濃度較佳為總計5%至25%，較佳10%至20%且尤其較佳13%至17%。
    在本申請案中，表述介電正性描述△ε>3.0之化合物或組分，介電中性描述-1.5△ε3.0之化合物或組分，且介電負性描述△ε<-1.5之化合物或組分。△ε係在1 kHz之頻率及20℃下測定。根據向列主體混合物中之各別單獨化合物之10%溶液之結果判定各別化合物之介電各向異性。若各別化合物於主體混合物中之溶解度小於10%，則濃度將降至5%。測試混合物之電容在具有垂直對準之單元中與在具有水平對準之單元中皆進行測定。兩種類型單元之單元厚度為約20 μm。所施加之電壓為頻率為1 kHz且有效值通常為0.5 V至1.0 V之矩形波，但其始終被選為低於各別測試混合物之電容臨限值。
    本文中應用以下定義。
    △ε≡(ε||-ε⊥)及ε平均≡(ε||+2 ε⊥)/3。
    用於介電正性化合物之主體混合物為混合物ZLI-4792而用於介電中性及介電負性化合物之主體混合物為混合物ZLI-3086，兩者皆來自Merck KGaA,Germany)。化合物之介電常數絕對值係根據添加所關注化合物時主體混合物之各別值的變化來測定。將該等值外推至濃度為100%的所關注化合物。
    在20℃之量測溫度下原樣量測具有向列相之組分，所有其他組分如同化合物一樣處理。
    在兩種情況下，除非另外明確規定，否則表述臨限電壓在本申請案中係指光學臨限值，且針對10%相對對比度(V10)給出，且表述飽和電壓係指光學飽和度，且係針對90%相對對比度(V90)給出。電容臨限電壓(V0)(亦稱為佛萊德里克斯臨限值(Freedericks threshold)(VFr))僅當明確提及時才使用。
    除非另外明確規定，否則本申請案中所指示之參數範圍均包括極限值。
    各種特性範圍所指示之不同上限值及下限值彼此組合產生其他較佳範圍。
    在本申請案通篇中，除非另外明確規定，否則以下條件及定義將適用。所有濃度均以重量百分比給出且係關於各別整體混合物，所有溫度均以攝氏度給出，且所有溫差均以差度給出。除非另外明確規定，否則所有物理特性均根據「Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals」，日期1997年11月，Merck KGaA,Germany測定，且針對20℃之溫度給出。在589.3 nm之波長下測定光學各向異性(△n)。在1 kHz之頻率下測定介電各向異性(△ε)。臨限電壓以及所有其他電光特性均使用Merck KGaA,Germany製造之測試單元來測定。用於測定△ε之測試單元之單元厚度為約20 μm。電極為具有1.13 cm2之面積及護環的圓形ITO電極。對於垂直取向(ε||)而言取向層為來自Nissan Chemicals,Japan之SE-1211，且對於水平取向(ε⊥)而言取向層為來自Japan Synthetic Rubber,Japan之聚醯亞胺AL-1054。電容係使用Solatron 1260頻率反應分析器，使用電壓為0.3 Vrms之正弦波來測定。
    電光量測中所用之光為白光。在本文中使用利用來自Autronic-Melchers,Germany之市售DMS儀器的裝備。在垂直觀測下測定特徵電壓。分別針對10%、50%及90%之相對對比度測定臨限電壓(V10)、中灰電壓(V50)及飽和電壓(V90)。
    針對液晶介質在微波頻率範圍內之特性對液晶介質進行研究，如A.Penirschke等人，「Cavity Perturbation Method for Characterisation of Liquid Crystals up to 35 GHz」，第34屆歐洲微波大會-Amsterdam，第545至548頁中所述。在此方面之比較亦見於A.Gaebler等人，「Direct Simulation of Material Permittivites...」,12MTC 2009-國際儀表及量測技術大會，Singapore,2009(IEEE)，第463至467頁及DE 10 2004 029 429 A中，其中同樣詳細描述量測方法。
    將液晶引入圓筒形聚四氟乙烯(PTFE)或石英毛細管中。毛細管之內半徑為180 μm且外半徑為350 μm。有效長度為2.0 cm。將填充之毛細管引入共振頻率為19 GHz之圓筒形空腔中心。此空腔之長度為11.5 mm且半徑為6 mm。接著施加輸入信號(源極)，且使用市售向量網路分析器記錄輸出信號之結果。對於其他頻率，相應地調整空腔尺寸。
    在相應目標頻率下藉助於上文所提及之公開案A.Penirschke等人，「Cavity Perturbation Method for Characterisation of Liquid Crystals up to 35 GHz」，第34屆歐洲微波大會-Amsterdam，第545至548頁(如其中所述)中之方程10及11，使用用填充有液晶之毛細管之量測與無填充有液晶之毛細管之量測之間的共振頻率及Q因子之變化來測定介電常數及損耗角。
    藉由使液晶在磁場中對準獲得具有垂直及平行於液晶指向矢之特性之組件的值。為此，使用永久磁體磁場。磁場強度為0.35特斯拉(tesla)。相應地使磁體對準，且接著相應地旋轉90°。
    較佳組件為移相器、可變電抗器、無線及無線電波天線陣列、匹配電路自適應濾波器及其他類似組件。
    在本申請案中，除非另外明確規定，否則術語化合物意謂一種化合物與複數種化合物。
    本發明之液晶介質較佳具有在各情況下至少-20℃至80℃，較佳-30℃至85℃且極其較佳-40℃至100℃之向列相。相位尤其較佳延伸至120℃或120℃以上，較佳140℃或140℃以上且極其較佳160℃或160℃以上。表述具有向列相在本文中意謂在一方面在對應溫度之低溫下觀察不到近晶相及結晶，且另一方面一旦向列相受熱則不發生澄清化。低溫研究以流量黏度計在對應溫度下進行，且藉由儲存於層厚度為5 μm之測試單元中至少100小時進行檢查。在高溫下，澄清點係藉由習知方法於毛細管中加以量測。
    此外，本發明之液晶介質之特徵為在可見光區中之高光學各向異性。在589 nm下雙折射率較佳為0.20或0.20以上，尤其較佳為0.25或0.25以上，尤其較佳為0.30或0.30以上，尤其較佳為0.40或0.40以上且極其較佳為0.45或0.45以上。另外，雙折射率較佳為0.80或0.80以下。
    在本發明之一個較佳實施例中，所用液晶介質具有正介電各向異性(△ε)。此正介電各向異性較佳為1.8或1.8以上及15.0或15.0以下，更佳在2.0或2.0以上與10.0或10.0以下之間，尤其較佳在3.0或3.0以上與8.0或8.0以下之間且極其較佳在3.5或3.5以上與6.0或6.0以下之間。
    若所用液晶介質具有負介電各向異性(△ε)，則此負介電各向異性較佳小於或等於-2.5，尤其較佳小於或等於-4.0且極其較佳小於或等於-5.0。
    在所用液晶介質具有負介電各向異性(△ε)之本發明之此較佳實施例中，其值較佳在1.5或1.5以上與15.0或15.0以下之間，尤其較佳在1.8或1.8以上與12.0或12.0以下之間且極其較佳在2.0或2.0以上與10.0或10.0以下之間。
    此外，本發明之液晶介質之特徵為在微波區及/或毫米波區之高各向異性。在約8.3 GHz下之雙折射率較佳為例如0.14或0.14以上，尤其較佳為0.15或0.15以上，尤其較佳為0.20或0.20以上，尤其較佳為0.25或0.25以上且極其較佳為0.30或0.30以上。另外，雙折射率較佳為0.80或0.80以下。
    微波區中之介電各向異性定義為△εr≡(ε r,||-εr,⊥)。
    可調諧性(τ)定義為τ≡(△εr/ε r,||)。
    材料品質(η)定義為η≡(τ/tan δε r,max.)，其中最大介電損耗為tan δε r,max.≡max.{tan δε r,⊥,；tan δε r,||}。
    較佳液晶材料之材料品質(η)為6或6以上，較佳為8或8以上，較佳為10或10以上，較佳為15或15以上，較佳為17或17以上，較佳為20或20以上，尤其較佳為25或25以上，極其較佳為30且尤其為40或40以上或甚至50或50以上。
    在相應組件中，較佳液晶材料之移相器品質為15°/dB或15°/dB以上，較佳為20°/dB或20°/dB以上，較佳為30°/dB或30°/dB以上，較佳為40°/dB或40°/dB以上，較佳為50°/dB或50°/dB以上，尤其較佳為80°/dB或80°/dB以上且極其較佳為100°/dB或100°/dB以上。
    然而，在一些實施例中，亦可能使用負介電各向異性值之液晶。
    所用液晶為個別物質或混合物。其較佳具有向列相。
    術語「烷基」較佳涵蓋各具有1至15個碳原子之直鏈及分支鏈烷基以及環烷基，尤其是直鏈基團甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基及庚基以及環丙基及環己基。具有2至10個碳原子之基團一般較佳。
    術語「烯基」較佳涵蓋具有2至15個碳原子之直鏈及分支鏈烯基，尤其是直鏈基團。尤其較佳之烯基為C2-1E-烯基至C7-1E-烯基、C4-3E-烯基至C7-3E-烯基、C5-4-烯基至C7-4-烯基、C6-5-烯基至C7-5-烯基及C7-6-烯基，尤其是C2-1E-烯基至C7-1E-烯基、C4-3E-烯基至C7-3E-烯基及C5-4-烯基至C7-4-烯基。其他較佳烯基之實例為乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基及其類似基團。具有至多5個碳原子之基團一般較佳。
    術語「氟烷基」較佳涵蓋具有末端氟之直鏈基團，亦即氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基及7-氟庚基。然而，不排除氟之其他位置。
    術語「氧雜烷基」或「烷氧基烷基」較佳涵蓋式CnH2n+1-O-(CH2)m之直鏈基團，其中n及m各彼此獨立地表示1至10之整數。此處較佳地，n為1且m為1至6。
    含有乙烯基末端基團之化合物及含有甲基末端基團之化合物具有低旋轉黏度。
    在本申請案中，高頻技術與超高頻技術皆表示頻率在1 MHz至100 THz，較佳1 GHz至30 THz，更佳2 GHz至10 THz，尤其較佳約5 GHz至5 THz範圍內之應用。
    本發明之液晶介質可包含常見濃度之其他添加劑及對掌性摻雜劑。此等其他組分之總濃度以整體混合物計在0%至10%，較佳0.1%至6%之範圍內。所用個別化合物之濃度較佳各在0.1%至3%之範圍內。在給出本申請案中之液晶介質之液晶組分及液晶化合物的值及濃度範圍時，未考慮此等及類似添加劑之濃度。
    本發明之液晶介質由複數種化合物，較佳3至30種，更佳4至20種且極佳4至15種化合物組成。此等化合物係以習知方式混合。一般而言，將所要量之以較少量使用之化合物溶解於以較大量使用之化合物中。若溫度高於以較高濃度使用之化合物的澄清點，則尤其易於觀察到溶解過程之完成。然而，亦可能以其他習知方式製備介質，例如使用所謂的預混合物，其可為例如化合物之同系或共晶混合物，或使用所謂的「多瓶(multibottle)」系統，其成分本身為即用混合物。
    液晶之所有溫度，諸如熔點T(C,N)或T(C,S)，自近晶(S)轉變為向列(N)相T(S,N)及澄清點T(N,I)均以攝氏度給出。所有溫差均以差度給出。
    在本發明中且尤其在以下實例中，液晶原化合物之結構藉助於縮寫(亦稱為首字母縮寫)來指示。在此等首字母縮寫中，化學式如下使用以下表A至表C進行縮寫。所有基團CnH2n+1、CmH2m+1及ClH2l+1或CnH2n-1、CmH2m-1及ClH2l-1均表示直鏈烷基或烯基，較佳表示分別具有n、m且1個C原子之1E-烯基，其中n、m及l分別彼此獨立地表示1至9，較佳1至7，或2至9，較佳2至7之整數。CoH2o+1表示具有1至7個、較佳1至4個C原子之直鏈烷基或具有1至7個，較佳1至4個C原子之分支鏈烷基。
    表A列舉用於化合物之核心結構之環元素的代碼，而表B顯示鍵聯基團。表C給出用於左側或右側末端基團之代碼之含義。表D顯示化合物之說明性結構及其各別縮寫。

    其中n及m各表示整數，且三個點「...」為此表之其他縮寫之佔位。
    下表顯示說明性結構以及其各別縮寫。顯示此等結構及縮寫以闡明縮寫規則之含義。此外，其表示較佳使用之化合物。
    下表(表E)顯示在本發明之液晶原介質中可用作穩定劑之說明性化合物。介質中此等及類似化合物之總濃度較佳為5%或5%以下。
    在本發明之一個較佳實施例中，液晶原介質包含一或多種選自由表E之化合物組成之群的化合物。
    下表(表F)顯示在本發明之液晶原介質中較佳可用作對掌性摻雜劑之說明性化合物。
    在本發明之一個較佳實施例中，液晶原介質包含一或多種選自由表F之化合物組成之群的化合物。
    本申請案之液晶原介質較佳包含兩種或兩種以上，較佳四種或四種以上選自由上表中化合物組成之群的化合物。
    本發明之液晶介質較佳包含- 7種或7種以上，較佳8種或8種以上化合物，較佳選自表D之化合物之群的具有3種或3種以上，較佳4種或4種以上不同式之化合物。 實例
    以下實例說明本發明而不以任何方式進行限制。然而，熟習此項技術者可由物理特性明白可實現之特性及可修改之範圍。詳言之，熟習此項技術者由此充分定義可較佳達成之各種特性之組合。
    所用乙炔若非市售則可根據標準實驗室程序合成。 物質實例A：用於組分A之式IA之說明性化合物合成實例1a：1,4-雙(4-正丁基苯乙炔基)-2,5-二甲苯
    最初將9 g(54 mmol)4-正丁基苯乙炔引入200 ml四氫呋喃中，冷卻混合物至-75℃，且添加54 ml雙(三甲基矽烷)胺基鋰(1.0 M己烷溶液，54 mmol)。1小時後，添加54 ml B-甲氧基-9-硼雙環[3.3.1]壬烷(1.0 M己烷溶液，54 mmol)，且再攪拌混合物1小時。
    將此溶液逐滴添加至1.5 g(2 mmol)氯化雙(三環己基膦)鈀(II)及5.3 g(20 mmol)1,4-二溴-2,5-二甲苯於300 ml四氫呋喃中之溶液中，且回流混合物16小時。
    藉由添加MTB及水處理混合物，分離各相，且用MTB萃取水相一次。用飽和氯化鈉溶液洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥，過濾且用旋轉式蒸發器蒸發。殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷/氯丁烷=1：1)純化；藉由自庚烷或庚烷/氯丁烷=1：1再結晶進行進一步純化。
    MS(EI)：m/e(%)=418(100,M+),375(26,[M-丙基]+),166(9,[M-2x丙基]2+)。
    相序：C 125℃ N 142.8℃ I。
    由10%於ZLI-4792中之溶液外推之數據：△ε=+2.6；△n=0.414及γ1=2080 mPa．s。 合成實例2a：1,4-雙(4-正丁基苯乙炔基)-2,6-二甲苯
    1,4-雙(4-正丁基苯乙炔基)-2,6-二甲苯係與1A下所述之合成類似地由4-正丁基苯乙炔及1-碘-4-溴-2,6-二甲苯製備。
    MS(EI)：m/e(%)=418(100,M+),375(27,[M-丙基]+),166(10,[M-2x丙基]2+)。
    相序：C 115℃ N 145.8℃ I。
    由10%於ZLI-4792中之溶液外推之數據：△ε=+2.4；△n=0.409及γ1=1940 mPa．s。 合成實例3a：1-(4-正丙基苯乙炔基)-2-氟-4-(4-正己基苯乙炔基)-6-乙基苯
    3a.1 合成外消旋-2-氟-6-(1-羥乙基)-1,4-二溴苯
    將120 g(0.36 mol)6-氟-1,2,4-三溴苯於120 ml四氫呋喃中之溶液逐滴添加至冷卻至-70℃之290 ml氯化異丙基鎂/氯化鋰複合物(0.38 mol，1.3 M四氫呋喃溶液)中，且在-50℃下攪拌混合物2小時。隨後冷卻混合物至-70℃，之後逐滴添加17.6 g(0.4 mol)乙醛於40 ml四氫呋喃中之溶液。批料緩慢升溫至-20℃且接著藉由添加飽和氯化銨溶液進行淬滅。
    分離各相且用MTB萃取水相。用飽和氯化鈉溶液洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥且用旋轉式蒸發器蒸發。以此方式獲得之殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷→(梯度)庚烷/MTB=4：1)純化多次，其中溶離劑之極性藉由添加MTB逐步增加。 3a.2 合成2-氟-6-乙基-1,4-二溴苯
    最初將11 g(36.9 mmol)前述反應中獲得之醇引入25 ml二氯甲烷中，添加8.7 g(75.2 mmol)三乙基矽烷，且在室溫下攪拌混合物3小時。隨後逐滴添加10.4 g(72.9 mmol)三氟化硼合二乙醚，且在僅低於沸點之溫度下攪拌該混合物12天。冷卻接著實際上完全濃縮之批料，添加MTB及2 M氫氧化鈉溶液，且用力攪拌該混合物3小時。分離各相且用MTB萃取水相兩次。用飽和氯化鈉溶液洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥且用旋轉式蒸發器蒸發。以此方式獲得之殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化。 3a.3 合成1-溴-2-氟-4-(4-正己基苯乙炔基)-6-乙基苯
    最初將3.4 g(12 mmol)前述反應中獲得之二溴化物、2.6 g(13.9 mmol)4-正甲基苯乙炔、0.5 g(0.7 mmol)氯化雙(三苯基膦)鈀(II)及70 mg(0.35 mmol)碘化銅(I)引入70 ml二異丙胺中，且在50℃下攪拌該混合物1小時且在回流下攪拌1小時。冷卻批料，且濾出所形成之沈澱物。用旋轉式蒸發器蒸發濾液，且以此方式獲得之殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化。 3a.4 合成1-(4-正丙基苯乙炔基)-2-氟-4-(4-正己基苯乙炔基)-6-乙基苯
    最初將2 g(5.2 mmol)前述反應中獲得之溴化物、1.2 g(8.3 mmol)4-正丙基苯乙炔、0.2 g(0.28 mmol)氯化雙(三苯基膦)鈀(II)及30 mg(0.16 mmol)碘化銅(I)引入30 ml二異丙胺中，且在回流下加熱該混合物。1小時後及12小時後，在各情況下再添加1.2 g 4-正丙基苯乙炔於少量二異丙胺中之溶液，之後在總計60小時後冷卻該混合物，且濾出所形成之沈澱物。用旋轉式蒸發器蒸發濾液，且以此方式獲得之殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化；藉由自庚烷再結晶進行進一步純化。
    相序：C 33℃ N 90℃ I。
    由10%於ZLI-4792中之溶液外推之數據：△ε=+1.8；△n=0.389及γ1=1530 mPa．s。 合成實例4a：1-(4-正丙基苯乙炔基)-2-氟-4-(4-正己基苯乙炔基)-6-乙基苯
    4a.1 合成2-(4-正丙基苯乙炔基)-4-氟-5-溴苯
    最初將20 g(63.5 mmol)5-溴-4-氟-2-碘甲苯、10.5 g(73 mmol)4-正丙基苯乙炔、2.5 g(3.6 mmol)氯化雙(三苯基膦)鈀(II)及300 mg(1.8 mmol)碘化銅(I)引入250 ml二異丙胺中，在回流下加熱混合物3小時且冷卻，且濾出所形成之沈澱物。用旋轉式蒸發器蒸發濾液，且以此方式獲得之殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化。 4a.2 合成1-(4-正丙基苯乙炔基)-2-氟-4-(4-正己基苯乙炔基)-6-乙基苯
    最初將9.6 g(28.9 mmol)前述反應中獲得之溴化物、7 g(37.6 mmol)4-正己基苯乙炔、1.7 g(2.4 mmol)氯化雙(三苯基膦)鈀(II)及200 mg(1.2 mmol)碘化銅(I)引入250 ml二異丙胺中，在回流下加熱該混合物2小時且冷卻，且濾出所形成之沈澱物。用旋轉式蒸發器蒸發濾液，且以此方式獲得之殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化；藉由自庚烷再結晶進行進一步純化。
    MS(EI)：m/e(%)=436(100,M+),407(8,[M-乙基]+),365(39,[M-戊基]+),336(12)。
    相序：C 50℃ N 148.7℃ I。
    由10%於ZLI-4792中之溶液外推之數據：△ε=+2.3；△n=0.427及γ1=1490 mPa．s。 合成實例5a：合成1,4-雙(4-正丁基苯乙炔基)-2,3,5,6-四甲基苯
    最初將8.1 g(20 mmol)1,4-二碘-2,3,5,6-四甲基苯、7.5 g(47.3 mmol)4-正丁基苯乙炔、2 g(2.9 mmol)氯化雙(三苯基膦)鈀(II)及550 mg(2.9 mmol)碘化銅(I)引入100 ml三乙胺中，且在回流下加熱混合物3小時。接著冷卻批料，添加水及MTB，且分離各相。用飽和氯化銨溶液及氯化鈉溶液洗滌有機相，且用旋轉式蒸發器蒸發，且以此方式獲得之殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化；藉由自異丙醇再結晶進行進一步純化。
    MS(EI)：m/e(%)=446(100,M+),421(15,[M-丙基]+),180(8,[M-2x丙基]2+)。
    相序：C 67℃ N 225.1℃ I。
    由10%於ZLI-4792中之溶液外推之數據：△ε=+2.3；△n=0.423及γ1=1360 mPa．s。 合成實例6a：1,4-雙(4-正丁基苯乙炔基)-2,3,5-三甲基苯
    6a.1：合成4-溴-2,3,6-三甲基苯酚
    最初將10 g(71 mmol)2,3,6-三甲基苯酚引入由250 ml二氯甲烷及190 ml甲醇組成之溶劑混合物中，且添加35.4 g(72 mmol)三溴化四丁基銨於170 ml二氯甲烷及130 ml甲醇中之溶液。在室溫下5小時後，用旋轉式蒸發器蒸發批料，且將剩餘殘餘物溶解於MTB中。用水洗滌有機相三次，經硫酸鈉乾燥且用旋轉式蒸發器蒸發。所獲得之結晶殘餘物未經進一步處理即用於下一步驟。 6a.2：合成三氟甲基磺醯基-4-溴-2,3,6-三甲基苯酚
    最初將15.5 g(69 mmol)前述反應中獲得之苯酚引入230 ml二氯甲烷中，添加14.7 ml(106 mmol)三乙胺及200 mg(1.6 mmol)4-(二甲胺基)吡啶，且使混合物於冰浴中冷卻。接著逐滴添加12.2 ml(72.3 mmol)三氟甲磺酸酐，且攪拌該混合物隔夜且在該製程中升溫至室溫，之後整個批料藉由管柱層析法(SiO2，二氯甲烷)直接純化。 6a.3：合成1,4-雙(4-正丁基苯乙炔基)-2,3,5-三甲基苯
    最初將9 g(54 mmol)4-正丁基苯乙炔引入100 ml四氫呋喃中，冷卻該混合物至-78℃，且添加54 ml雙(三甲基矽烷)胺基鋰(1.0 M己烷溶液，54 mmol)。1小時後，添加54 ml B-甲氧基-9-硼雙環[3.3.1]壬烷(1.0 M己烷溶液，54 mmol)，且再攪拌混合物2小時。接著使批料升溫至-20℃，添加730 mg(0.8 mmol)參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)、1.3 g(3.2 mmol)2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯及6.9 g(20 mmol)前述反應中獲得之三氟甲磺酸酯於150 ml四氫呋喃中之溶液，且在回流下加熱混合物16小時。冷卻之後，藉由添加MTB及水處理該混合物，分離各相，且用MTB萃取水相一次。用飽和氯化鈉溶液洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥，過濾且用旋轉式蒸發器蒸發。殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化；藉由自庚烷再結晶進行最終純化。
    MS(EI)：m/e(%)=432(100,M+),389(20,[M-丙基]+),173(8,[M-2x丙基]2+)。
    相序：C 136℃ N 184.2℃ I。
    由10%於ZLI-4792中之溶液外推之數據：△ε=+2.4；△n=0.412及γ1=1650 mPa．s。 物質實例B：用於組分A之式IB之說明性化合物物質實例1b
    相序：C 87℃ N 178.5℃ I；△n=0.436；△ε=2.8。 物質實例2b
    相序：C 78℃ N 172.3℃ I；△n=0.437；△ε=2.6。 物質實例3b
    相序：C 107℃ N 211.0℃ I；△n=0.464；△ε=3.1。 物質實例4b
    相序：C 87℃ N 130.7℃ I；△n=0.451；△ε=2.1。 物質實例5b
    相序：C 57℃ N 151.7℃ I；△n=0.445；△ε=2.0。 物質實例6b
    相序：C 29℃ N 119.2℃ I；△n=0.402；△ε=1.7。 物質實例7b
    相序：Tg-54℃ C 14℃ N 119.2℃ I；△n=0.393；△ε=1.8。 物質實例8b
    相序：C 60℃ N 121.8℃ I；△n=0.394；△ε=1.7。 物質實例9b
    相序：C 81℃ N 160.7℃ I；△n=0.432；△ε=3.2。 物質實例10b
    合成實例10：1,4-雙(2-(4-丁基苯基)乙炔基)-2-環丙基苯10b.1)1,4-二氯-2-環丙基苯2
    將20 g(73 mmol)1,4-二氯-2-碘苯、9.4 g(110 mmol)環丙基硼酸、32 g(147 mmol)磷酸鉀、421 mg(0.7 mmol)雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)及1096 mg(1.5 mmol)1,2,3,4,5-五苯基-1-(二-第三丁基膦)二茂鐵(CTC-Q-PHOS)溶解於600 ml甲苯中且在100℃下加熱隔夜。將100 ml水添加至冷卻溶液中，且用甲苯(100 ml)萃取該混合物兩次。用水洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥且真空蒸發。殘餘物藉由管柱層析法純化，得到呈無色固體狀之標題化合物。 10b.2)1,4-雙(2-(4-丁基苯基)乙炔基)-2-環丙基苯(1)
    在氮氣下將5 g(26 mmol)1,4-二氯-2-環丙基苯、9.4 g(58 mmol)1-正丁基-4-乙炔基苯、19 g(58 mmol)碳酸銫、69 mg(0.3 mmol)氯化雙(乙腈)鈀(II)及382 mg(0.8 mmol)2-二環己基膦基-2',4',6'-三異丙基聯苯溶解於80 ml二噁烷中，且在100℃下加熱該混合物隔夜。將100 ml水添加至冷卻溶液中，且用甲基第三丁基醚(100 ml)萃取該混合物兩次。用水洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥且真空蒸發。殘餘物藉由管柱層析法純化且自乙醇再結晶，得到呈固體狀之標題化合物1。
    1H-NMR(250 MHz,CDCl3)：7.4-7.08(11H,m)；2.5(4H,m)；1.6-1.3(9H,m)；0.96(6H,m)；0.6-0.4(4H,m)。
    相序：C 72℃ N 84.5℃ I；△n=0.378；△ε=1.5。 物質實例11b
    相序：Tg-43℃ C 46℃ N 86.0℃ I；△n=0.379；△ε=1.1。 物質實例12b
    合成實例12b：1,4-雙(2-(4-丁基苯基)乙炔基)-2-環丁基苯(3)
    12b.1)1-(2,5-二溴苯基)環丁醇(4)
    最初在氮氣下將21.09 g(67 mmol)1,2,4-三溴苯引入100 ml THF中，冷卻至-45℃，且逐滴添加51.54 ml(67 mmol)氯化異丙基鎂/氯化鋰複合物於THF中之溶液(1.3 M)。1小時後，使批料升溫至-10℃，且在此溫度下逐滴添加5 ml(66.34 ml)環丁酮。使批料解凍，且添加飽和NH4Cl溶液，用甲基第三丁基醚萃取該混合物，有機相經硫酸鈉乾燥且過濾，真空移除溶劑，且經由矽膠用二氯甲烷過濾殘餘物，得到4，其未經進一步純化即用於下一步驟。 12b.2)1,4-二溴-2-環丁基苯(5)
    在氮氣下將14.5 g(47.39 mmol)4溶解於50 ml THF中，且在室溫下逐滴添加35.72 ml(284.4 mmol)三氟化硼/乙醚複合物，且逐份逐滴添加12.54 g(189.6 mmol)氰基硼氫化鈉。在回流下加熱批料隔夜。使批料冷卻至室溫，添加飽和NaHCO3溶液，用甲基第三丁基醚萃取該混合物，經硫酸鈉乾燥有機相且過濾，真空移除溶劑，且經由矽膠用1-氯丁烷過濾殘餘物，得到呈黃色液體狀之5。 12b.3)1,4-雙(2-(4-丁基苯基)乙炔基)-2-環丁基苯(3)
    最初在氮氣下將7.8 g(47.0 mmol)1-丁基-4-乙炔基苯引入100 ml THF中，冷卻至-78℃，且逐滴添加63.32 ml(63.20 mmol)雙(三甲基矽烷基)胺基鋰於己烷中之1 M溶液。1小時後，添加63.22 ml(63.20 mmol)9-甲氧基-9-BBN於己烷中之1 M溶液，且在-78℃下攪拌混合物2小時。在第二裝置中，最初引入6.8 g(23.45 mmol)5、0.916 g(1.0 mmol)參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)及1.64 g(4.0 mmol)2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯於100 ml THF中之溶液。逐滴緩慢添加第一溶液，且在100℃下加熱批料隔夜。將100 ml水添加至冷卻溶液中，且用甲基第三丁基醚(100 ml)萃取該混合物兩次。用水洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥且真空蒸發。殘餘物藉由管柱層析法純化且自異丙醇再結晶，得到呈固體狀之標題化合物3。
    相序：Tg-39℃ C 69℃ N 70.1℃ I；△n=0.359；△ε=0.9。 物質實例13b
    相序：Tg-36℃ C 57℃ N(？)(7.0)℃ I；△n=0.334；△ε=-0.1。 物質實例14b
    相序：Tg-34℃ C 47℃ N 53.1℃ I；△n=0.337；△ε=0.0。 物質實例15b
    合成實例15b：2-環己基-4-(4-己基苯乙炔基)-1-(4-丙基苯乙炔基)苯6 15b.1)4-氯-2-環己基苯三氟甲磺酸酯(7)
    將19 g(90.2 mmol)4-氯-2-環己基苯溶解於264 ml二氯甲烷中，冷卻至-5℃，且逐滴添加4.64 ml(33.18 mmol)三乙胺及223 mg(1.8 mmol)4-(二甲胺基)吡啶。在室溫下攪拌批料隔夜且經由矽膠用二氯甲烷過濾，得到產物7，其未經進一步純化即用於下一步驟。 15b.2)(4-氯-2-環己基苯乙炔基)三甲基矽烷(8)
    在氮氣下將21 g(61.3 mmol)7、25.8 ml(183.8 mmol)三甲基矽烷基乙炔，2.15 g(3 mmol)氯化雙(三苯基膦)鈀(II)及21.2 ml(153.2 mmol)三乙胺溶解於60 ml N,N-二甲基甲醯胺中，且在100℃下加熱該混合物隔夜。將100 ml水添加至冷卻溶液中，且用甲基第三丁基醚(100 ml)萃取該混合物兩次。用水洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥且真空蒸發。殘餘物藉由管柱層析法純化，得到產物8，其未經進一步純化即用於下一步驟。 15b.3)4-氯-2-環己基-1-乙炔基苯(9)
    將16.6 g(57.1 mmol)8溶解於154 ml四氫呋喃中，冷卻至0℃，且逐滴添加1 M氟化四正丁基銨溶液(68.48 mmol)。在室溫下攪拌批料隔夜，添加水，用甲基第三丁基醚萃取該混合物，經硫酸鈉乾燥有機相且過濾，真空移除溶劑，且經由矽膠用庚烷/甲苯過濾殘餘物，得到產物9，其未經進一步純化即用於下一步驟。 15b.4)4-氯-2-環己基-1-對甲苯基乙炔基苯(10)
    在氮氣下將6.6 g(30.17 mmol)9、7.28 g(30.17 mmol)1-溴-4-己基苯、21.63 g(66.39 mmol)碳酸銫、78 mg(0.3 mmol)氯化雙(乙腈)鈀(II)及431 mg(0.9 mmol)2-二環己基膦基-2',4',6'-三異丙基聯苯溶解於90 ml二噁烷中，且在100℃下加熱隔夜。將100 ml水添加至冷卻溶液中，且用甲基第三丁基醚(100 ml)萃取該混合物兩次。用水洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥且真空蒸發。殘餘物藉由管柱層析法純化。 15b.5)2-環己基-4-(4-己基苯乙炔基)-1-(4-丙基苯乙炔基)苯(6)
    在氮氣下將4.5 g(11.87 mmol)10、1.7 g(11.87 mmol)1-正丙基-4-乙炔基苯、8.5 g(26.12 mmol)碳酸銫、30 mg(0.1 mmol)氯化雙(乙腈)鈀(II)及170 mg(0.35 mmol)2-二環己基膦基-2',4',6'-三異丙基聯苯溶解於35 ml二噁烷中，且在100℃下加熱隔夜。將100 ml水添加至冷卻溶液中，且用甲基第三丁基醚(100 ml)萃取該混合物兩次。用水洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥且真空蒸發。殘餘物藉由管柱層析法純化，得到呈固體狀之標題化合物6。
    相序：Tg-23℃ I；△n=0.294；△ε=-0.6。 物質實例16b
    該化合物係根據流程10且與本申請案中已述之化合物類似來製備。
    相序：C 90℃ N 193.9℃ I；△n=0.435；△ε=3.0。 物質實例17b
    該化合物係根據流程10且與本申請案中已述之化合物類似來製備。
    相序：C 53℃ N 143.5℃ I；△n=0.401；△ε=2.5。 物質實例18b
    該化合物係根據流程10且與本申請案中已述之化合物類似來製備。
    相序：Tg-49 C 32℃ N 126.0℃ I；△n=0.373；△ε=1.6。 物質實例19b
    物質實例20b
    相序：Tg-45℃ C 60℃ N 89.1℃ I；△n=0.348；△ε=1.3。 物質實例21b
    相序：Tg-32℃ C 66℃ N(44.1)℃ I；△n=0.322；△ε=0.6。 物質實例22b
    相序：Tg-37℃ C 52℃ N 78.2℃ I；△n=0.339；△ε=0.9。 合成實例23b：
    步驟23b.1
    將25.4 g 2-溴-1,4-二氯苯、8.9 ml碘乙烷及13.3 ml DMPU溶解於230 ml THF中，且在-70℃下逐滴添加16.2 g四甲基哌啶鋰於THF中之溶液。再在-70℃下2小時後，使反應混合物升溫至周圍溫度，且使用水水解批料且經受萃取處理。
    粗產物藉由分餾純化。
    沸點：73℃/0.1巴。無色液體。 步驟23b.2
    在25℃-40℃下將12.5 ml 5%甲基鋰於乙醚中之溶液添加至2.4 g無水溴化鋅於50 ml THF中之溶液中。接著添加0.3 g PdCl2-dppf(二氯化雙(二苯基膦基二茂鐵)鈀)，加熱混合物至沸騰，且逐滴添加4.6 g步驟1.1之產物溶解於少量THF中之溶液。隨後在回流下加熱反應混合物15小時。使用水水解批料且經受萃取處理。粗產物藉由層析(戊烷/矽膠)純化。無色液體。 步驟23b.3
    最初將2.4 g 4-丁基苯基乙炔引入30 ml THF中且冷卻至-78℃。將14.3 ml雙(三甲基矽烷基)胺基鋰於己烷中之1 M溶液逐滴添加至此溶液中且再在-78℃下反應1小時。接著逐滴添加14.3 ml 1 M甲氧基-9-BBN之溶液，且再在-78℃下攪拌混合物2小時。在第二裝置中，最初引入1.0 g上一步驟之產物溶解於40 ml THF中之溶液及包含0.2 g參(二亞苄基丙酮)二鈀及0.35 g 2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯之催化劑，且在室溫下添加來自第一反應之反應溶液。在沸騰下加熱混合物15小時。使用水水解批料且經受萃取處理。粗產物藉由層析(戊烷/矽膠)純化。自戊烷再結晶得到純化之標題產物。
    相序：C 45 N 180 I。 物質實例24b：
    化合物係與實例23b類似來製備。
    相序：C 118 N 222 I；△n=0.435；△ε=2.6。 物質實例25b：
    標題化合物係與實例23b類似來製備。
    相序：C 41 N 161 I。 物質實例26b
    合成實例26b：26b.1)合成1-碘-4-溴萘
    最初將100 g(350 mmol)1,4-二溴萘引入1 l THF中，冷卻至-70℃，且逐滴添加235 ml n-BuLi(1.6 M己烷溶液，370 mmol)。1小時後，逐滴添加103 g(406 mmol)I2於250 ml THF中之溶液，再在-70℃下攪拌該混合物2小時，升溫至0℃且藉由添加50 ml(644 mmol)NaHSO3水溶液(w=39%)進行淬滅。分離各相且用MTB萃取水相一次。用飽和氯化鈉溶液洗滌合併之有機相，經硫酸鈉乾燥，過濾且用旋轉式蒸發器蒸發。殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化，且藉由自異丙醇再結晶進行進一步純化，得到呈黃色固體狀之1-碘-4-溴萘。 26b.2)合成1-溴-4-(4-正丙基苯乙炔基)萘
    最初將15.3 g(43.6 mmol)1-碘-4-溴萘及7.25 g(5.3 mmol)4-正丙基苯乙炔引入200 ml NEt3中，添加170 mg(0.9 mmol)碘化銅(I)及600 mg(0.9 mmol)氯化雙(三苯基膦)鈀(II)，且回流該混合物30分鐘。冷卻批料，添加水及庚烷，且分離各相。用飽和氯化鈉溶液洗滌有機相，經硫酸鈉乾燥，過濾且用旋轉式蒸發器蒸發。殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化，且藉由自異丙醇再結晶進行進一步純化。 26b.3)合成1-(4-正丁基苯乙炔基)-4-(4-正丙基苯乙炔基)萘
    最初將2.35 g(6.3 mmol)1-溴-4-(4-正丙基苯乙炔基)萘及1.33 g(8.4 mmol)4-正丁基苯乙炔引入40 ml NEt3中，添加60 mg(0.3 mmol)碘化銅(I)及200 mg(0.3 mmol)氯化雙(三苯基膦)鈀(II)，且回流該混合物18小時。
    冷卻批料，添加水及庚烷，且分離各相。用飽和氯化銨溶液洗滌有機相且隨後用飽和氯化鈉溶液洗滌，經硫酸鈉乾燥，過濾且用旋轉式蒸發器蒸發。化合物(1)殘餘物藉由管柱層析法(SiO2，庚烷)純化，且藉由自異丙醇再結晶進行進一步純化。
    MS(EI)：m/e(%)=426(100,M+),397(11,[M-乙基]+),383(16,[M-丙基]+),354(18,[M-乙基丙基]+),177(14,[M-乙基丙基]2+)。
    相序：C 78 N 191 I；△n=0.450；△ε=2.9。 物質實例27b
    該化合物係與實例26b類似來製備。
    相序：C 108℃ N 194℃ I。 物質實例28b
    該化合物係與實例26b類似來製備。
    相序：C 63℃ N 171.7℃ I；△n=0.435；△ε=2.3。 物質實例29b
    該化合物係與實例26b類似來製備。
    相序：C 76℃ N 176.2℃ I；△n=0.427；△ε=2.4。 物質實例30b
    該化合物係與實例26b類似來製備。
    相序：C 100℃ N 162℃ I。 物質實例31b
    該化合物係與實例26b類似來製備。
    相序：C 61℃ N 139℃ I。 物質實例32b
    此化合物係與前述化合物類似根據流程15之右側反應路徑來製備。
    相序：C 85℃ N 202.4℃ I；△n=0.446；△ε=2.0。 物質實例33b
    該化合物係與實例32b類似來製備。
    相序：C 112℃ N 253.5℃ I；△n=0.484；△ε=4.1。 物質實例34b
    此化合物係與前述化合物類似根據流程15之左側反應路徑來製備。
    相序：C 93℃ N 212.4℃ I；△n=0.527；△ε=0.8。 使用實例比較實例1至比較實例3
    具有縮寫PTP(2)TP-6-3之液晶物質係藉由Hsu,C.S.,Shyu,K.F.,Chuang,Y.Y.及Wu,S.-T.,Liq.Cryst.,27(2),(2000)，第283-287頁之方法製備，且針對其尤其在微波區中之物理特性進行研究。該化合物具有向列相及114.5℃之澄清點(T(N,I))。在20℃下之其他物理特性為：ne(589.3 nm)=1.8563；△n(589.3 nm)=0.3250；ε||(1 kHz)=3.40；△ε(1 kHz)=0.8及γ1=2100 mPa．s。該化合物適用於微波區及/或毫米波區之應用，尤其適用於移相器。

    另外，在19 GHz下研究化合物1-正戊基-4'-氰基聯苯(亦稱為PP-5-N或CB15)及液晶混合物ZLI-4792(來自Merck KGaA,Darmstadt,Germany之產品)之特性。結果概述於表2中。
    實例1
    製備具有如下表中所示之組成及特性的液晶混合物M-1。

    此混合物極適用於微波區及/或毫米波區中之應用，尤其適用於移相器。
    實例2
    製備具有如下表中所示之組成及特性之液晶混合物M-2。
    此混合物極適用於微波區及/或毫米波區中之應用，尤其適用於移相器。
    實例3
    製備具有如下表中所示之組成及特性之液晶混合物M-3。
    此混合物極適用於微波區及/或毫米波區中之應用，尤其適用於移相器。
    實例4
    製備具有如下表中所示之組成及特性之液晶混合物M-4。
    此混合物極適用於微波區及/或毫米波區中之應用，尤其適用於移相器。
    實例5
    製備具有如下表中所示之組成及特性之液晶混合物M-5。
    此混合物在良好低溫穩定性下極適用於微波區及/或毫米波區中之應用，尤其適用於移相器。
    實例6
    製備具有如下表中所示之組成及特性之液晶混合物M-6。
    此混合物極適用於微波區及/或毫米波區中之應用，尤其適用於移相器。
    實例7
    製備具有如下表中所示之組成及特性之液晶混合物M-7。
    此混合物極適用於微波區及/或毫米波區中之應用，尤其適用於移相器。
    實例8
    製備具有如下表中所示之組成及特性之液晶混合物M-8。

    此混合物極適用於微波區及/或毫米波區中之應用，尤其適用於移相器。
    實例9
    製備具有如下表中所示之組成及特性之液晶混合物M-9。
    此混合物極適用於微波區及/或毫米波區中之應用，尤其適用於移相器。
    权利要求:
    Claims (19)
    [1] 一種液晶介質，其特徵在於其包含組分A，該組分A包含一或多種式IA化合物， 其中表示或，L1 表示具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基或鹵素，Y11及Y12 彼此獨立地表示H、具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基、具有4至6個C原子之環烯基或鹵素，R11至R13 彼此獨立地表示各具有1至15個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基；各具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基；或各具有至多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基，且該組分A視情況包含一或多種式IB化合物， 其中表示 L1 表示具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基、具有4至6個C原子之環烯基或鹵素，X1 表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素，R11至R14 彼此獨立地表示各具有1至15個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基；各具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基；或各具有至多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基，或者R13與R14中之一者或兩者亦表示H。
    [2] 如請求項1之液晶介質，其特徵在於組分A包含一或多種選自式IA-1至式IA-4之化合物之群的化合物， 其中該等參數具有請求項1中在式IA下給出之含義。
    [3] 如請求項1及2中任一項之液晶介質，其特徵在於組分A包含一或多種選自式IB-1至式IB-4之化合物之群的化合物， 其中該等參數具有請求項1中在式IB下給出之含義。
    [4] 如請求項3之液晶介質，其特徵在於組分A包含一或多種如請求項3中所示之式IB-2及/或式IB-3及/或式IB-4之化合物。
    [5] 如請求項3或4之液晶介質，其特徵在於組分A包含一或多種如請求項3中所示之式IB-1化合物，其中X1表示H。
    [6] 如請求項3至5中任一項之液晶介質，其特徵在於組分A包含一或多種如請求項3中所示之式IB-1化合物，其中X1表示F。
    [7] 如請求項1至6中任一項之液晶介質，其特徵在於除組分A之外，其另外包含一或多種選自以下組分之群，即組分B至組分E的組分：強介電正性組分，即組分B，其介電各向異性為10或10以上，強介電負性組分，即組分C，其介電各向異性值為5或5以上，一組分，即組分D，其介電各向異性在-5.0以上至10.0以下之範圍內且由具有7個或7個以上5員或6員環之化合物組成，及一組分，即組分E，同樣其介電各向異性在-5.0以上至10.0以下之範圍內且由具有至多6個5員或6員環之化合物組成。
    [8] 如請求項7之液晶介質，其特徵在於其包含組分B。
    [9] 如請求項7或8之液晶介質，其特徵在於其包含組分C。
    [10] 如請求項7至9中任一項之液晶介質，其特徵在於其包含組分D。
    [11] 如請求項1至10中任一項之液晶介質，其特徵在於其包含一或多種式VI化合物， 其中L61 表示R61，且在Z61及/或Z62表示反-CH=CH-或反-CF=CF-之情況下，或者亦表示X61，L62 表示R62，且在Z61及/或Z62表示反-CH=CH-或反-CF=CF-之情況下，或者亦表示X62，R61及R62 彼此獨立地表示H、具有1至17個C原子之未氟化烷基或未氟化烷氧基、或具有2至15個C原子之未氟化烯基、未氟化烯氧基或未氟化烷氧基烷基，X61及X62 彼此獨立地表示F或Cl、-CN、-NCS、-SF5、具有1至7個C原子之氟化烷基或烷氧基、或具有2至7個C原子之氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷基、或-NCS，Z61與Z62中之一者表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，且另一者獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵，及 彼此獨立地表示
    [12] 一種製備如請求項1至11中任一項之液晶介質的方法，其特徵在於將一或多種如請求項1中所示之式IA化合物與一或多種其他化合物及/或與一或多種添加劑混合。
    [13] 一種如請求項1至12中任一項之液晶介質之用途，其係用於供高頻技術用之組件中。
    [14] 一種用於高頻技術之組件，其特徵在於其含有如請求項1至11中任一項之液晶介質。
    [15] 一種微波天線陣列，其特徵在於其包含一或多種如請求項14之組件。
    [16] 一種用於調協微波天線陣列之方法，其特徵在於電定址如請求項14之組件。
    [17] 一種式IA化合物， 其中該等參數具有請求項1中在式IA下給出之含義。
    [18] 一種製備式IA化合物之方法， 其中該等參數具有請求項1中在式IA下給出之含義。
    [19] 一種式IA化合物之用途， 其中該等參數具有請求項1中在式IA下給出之含義，其係用於液晶混合物中。
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    DE102012003939A1|2012-09-27|
    US20140021405A1|2014-01-23|
    WO2012126565A1|2012-09-27|
    CN103703103A|2014-04-02|
    TWI534250B|2016-05-21|
    CN103703103B|2016-04-27|
    US9296948B2|2016-03-29|
    引用文献:
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    GB2364050B|2000-04-25|2004-05-12|Sumitomo Chemical Co|Phenylacetylene compound liquid crystal composition and liquid crystal element produced with the same|
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    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DE102011015038||2011-03-24||
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